湖南三安半导体有限责任公司成立于2020年7月，业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿，总占地面积1000亩，建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。

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